SK海力士全球率先成功研发出128层4D Nand闪存芯片

您现在的位置:诗歌大全 > 当代文学 19浏览

SK海力士全球率先成功研发出128层4D Nand闪存芯片

  【新闻】6月26日,SK海力士宣布成功开发出“128层1Tb的TLC(TripleLevelCell)4DNand闪存”并将于今年下半年(7月~12月)开始投入量产。 去年10月SK海力士开发出96层4DNand闪存芯片,新的128层4DNand闪存生产效率是96层4DNand芯片的40%。

SK海力士  相比于传统的3DNand闪存,4DNand闪存解决了芯片设计过程中最为困扰的面积问题,大大提高了生产效率。

SK海力士表示:“新产品使用同样的4D平台,通过对工程进行最佳优化,在比96层产品增加了32层储存单元的情况下,还将全部的工程程序减少了5%”。 4DNand闪存  最近DRAM和Nand闪存等存储芯片的价格不断下降,在今年第一季度SK海力士已经出现亏损,现在SK海力士似乎打算通过Nand闪存领域寻找新的突破口。 SK海力士计划从今年下半年正式开始出售128层4D闪存芯片,其能够广泛应用于数据中心使用的企业级固态硬盘(SSD)、需要大容量存储芯片的服务等领域。

版权所有,未经许可不得转载。